这里FInT是内部场,FExr是外部场,R是反射损耗，,n是材料的集肤深度数量。对于脉冲或者方波,集肤深度的计算基于频率1/rt,t,是上升时间。
外壳内部产生的场能通过外壳壁辐射出去。如果辐射体具有低波阻抗,可能没有反射损耗。这种情况下,这个外壳不能有效地衰减场能量。公式可以用在波传播的两个方向。
场能量可以通过任意外壳壁上的孔进入到内部。外壳内的场形状取决于许多因素,包括内部硬件、孔的形状、场的极化和方向，以及外壳的大小。最坏情况分析时,假设当孔大于半波长的尺寸时，磁场强度是不衰减的。” 个共识就是 假设外亮内的波阻抗和到达场的-样。
当孔的尺寸大于半波长时,最好假设没有衰减。当尺寸小于半波长时，磁场强度衰减可以假设为半波长与孔口比。例如，如果半波长是20cm,孔口为2cm，衰减因子是20dB或者衰减因子为10.
-个孔可能是个缝隙。尺寸可以考虑为缝隙的长度。即使这个缝隙只能通过光线，仍然是个孔。这个假设的原因是因为面电流流动。如果缝隙中断了流动的面电流,其作用类似孔。密封- 个缝隙需要使用垫圈，见6.20节。
多个孔用来允许面电流在每一个孔周围 自由流动将会使得磁场在多个点进入。外壳内的磁场强度假设为每个独立穿透磁场的总和。如果外场是10V/m,其中-个孔衰减场的40dB,另一个磁场强度的衰减为46dB,两个磁场强度分别为0.1V/m和0.5V/m。这些场的和为0.15V/m。注意,磁场强度的测量dB是不能累加的。一个磁场强度为0.15V/m是一16. 5dBV/m.这个初始场是20dBV/m.衰减因子以分贝表示为36. 5dB。
定义
独立孔:外壳上的开口允许外壳周围的面电流自由流动。
注意当多个独立孔允许场进入时，内部场不可能大于外部场。
